حصل علماء روس على براءة اختراع لطريقة لتنقية ثاني أكسيد السيليكون، وهو المفتاح لإنتاج الرقائق الحديثة
Российские ученые запатентовали технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния. На основе этого материала исследователи разработали полировальные суспензии, жизненно необходимые для создания современных полупроводников. Технологическая линия и регламент получения продукта в октябре 2026 г. уже готовы, а сама разработка отправлена на апробацию индустриальному партнеру. Проект реализуется с 2024 г. в рамках федеральной программы «Приоритет-2030».
عمدتاً توسط حوزه چین و روسیه و BRICS (100٪) پوشش داده شده است. سکوت در غرب، جهان عرب-اسلام، جنوب جهانی.
Leitura da esfera global. A leitura esquerda/centro/direita é mostrada na análise de cobertura abaixo.
- Confirmado por 1 pontos de venda em 1 países.
- Ignorado por غرب، جهان عرب-اسلام، جنوب جهانی.
- Propagação: relatado pela primeira vez por advert.cnews.ru (Rusya), . 逐語的な再出版は検出されませんでした。
Conflito de manchetes nas quatro esferas
Nenhuma saída nesta esfera cobre o evento: ponto cego.
Nenhuma saída nesta esfera cobre o evento: ponto cego.
Nenhuma saída nesta esfera cobre o evento: ponto cego.
Análise de cobertura
Analisando cobertura…
Fontes de eventos
- حصل علماء روس على براءة اختراع لطريقة لتنقية ثاني أكسيد السيليكون، وهو المفتاح لإنتاج الرقائق الحديثةadvert.cnews.ruRuRusya → RusyaRusça