دانشمندان روسی روشی را برای تصفیه دی اکسید سیلیکون - کلید تولید تراشه های مدرن - ثبت کرده اند.

Российские ученые запатентовали технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния. На основе этого материала исследователи разработали полировальные суспензии, жизненно необходимые для создания современных полупроводников. Технологическая линия и регламент получения продукта в октябре 2026 г. уже готовы, а сама разработка отправлена на апробацию индустриальному партнеру. Проект реализуется с 2024 г. в рамках федеральной программы «Приоритет-2030».