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俄罗斯科学家获得了一种纯化二氧化硅的方法专利——这是生产现代芯片的关键

Российские ученые запатентовали технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния. На основе этого материала исследователи разработали полировальные суспензии, жизненно необходимые для создания современных полупроводников. Технологическая линия и регламент получения продукта в октябре 2026 г. уже готовы, а сама разработка отправлена на апробацию индустриальному партнеру. Проект реализуется с 2024 г. в рамках федеральной программы «Приоритет-2030».

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  1. 俄罗斯科学家获得了一种纯化二氧化硅的方法专利——这是生产现代芯片的关键
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